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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication of high quality strained SiGe on Si substrate by RPCVD 期刊论文 CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2012, 卷号: 57, 期号: 15, 页码: 1862-1867 Xue, ZY; Chen, D; Liu, LJ; Jiang, HT; Bian, JT; Wei, X; Di, ZF; Zhang, M; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2013/04/17 SiGe  epitaxial growth  growth rate  Ge content   Ge浓缩技术制备SGOI过程中应力释放机理 会议论文 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会, 2005 刘卫丽; 狄增峰; 张苗; 骆苏华; 宋志棠; 朱剑豪; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/01/18 SiGe 应力释放 氧化 扩散 Ge浓缩技术 SGOI材料