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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Bias voltage and temperature dependence of magneto-electric properties in double-barrier magnetic tunnel junction with amorphous Co-Fe-B electrodes 期刊论文 EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B, 2006, 卷号: 52, 期号: 2, 页码: 205 Zeng, ZM; Wang, Y; Han, XF; Zhan, WS; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/17 CO75FE25 FERROMAGNETIC ELECTRODES  ROOM-TEMPERATURE  MAGNETORESISTANCE  MAGNON  SINGLE  LAYERS  TMR   Luminescent characteristics of near ultraviolet InGaN/GaN MQWs grown on grooved sapphire substrates fabricated by wet chemical etching 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 2243 Yu, NS; Guo, LW; Chen, H; Xing, ZG; Wang, J; Zhu, XL; Peng, MZ; Yan, JF; Jia, HQ; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/18 EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAN FILMS  VAPOR-DEPOSITION  PHOTOLUMINESCENCE  DEFECTS  SI(111)  SINGLE  LAYERS   Low-temperature synthesis and characterization of GaN nanocrystals from gallium trichloride precursor 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH, 2004, 卷号: 19, 期号: 12, 页码: 3484 Liu, FS; Liu, QL; Liang, JK; Song, GB; Yang, LT; Luo, J; Zhou, YQ; Dong, HW; Rao, GH 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/09/18 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SINGLE-CRYSTALLINE GAN  RAMAN-SCATTERING  PHASE EPITAXY  THIN-FILMS  NITRIDE  LAYERS  NANOWIRES  ELECTRON  NITROGEN   The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484 Wang, LS; Liu, XL; Zan, YD; Wang, D; Lu, DC; Wang, ZG; Wang, YT; Cheng, LS; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/09/23 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SINGLE CRYSTALLINE GAN  HIGH-QUALITY GAN  INTERMEDIATE LAYER  BUFFER LAYERS  SI  FILMS  ALN  DEPOSITION  SAPPHIRE