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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Stress Control in GaN Grown on 6H-SiC by Metalorganic Chemical Vapor Deposition 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 4 Chen, Y; Jiang, Y; Xu, PQ; Ma, ZG; Wang, XL; Wang, L; Jia, HQ; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/09/24 PHONON DEFORMATION POTENTIALS  OPTICAL-PROPERTIES  RAMAN-SCATTERING  GALLIUM NITRIDE  BUFFER LAYERS  STRAIN  ALN  FILMS  HETEROSTRUCTURES  PHOTOLUMINESCENCE   Threading dislocation density comparison between GaN grown on the patterned and conventional sapphire substrate by high resolution X-ray diffraction 期刊论文 SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2010, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 465 Zhang, YC; Xing, ZG; Ma, ZG; Chen, Y; Ding, GJ; Xu, PQ; Dong, CM; Chen, H; Le, XY 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/09/23 LIGHT-EMITTING-DIODES  PHONON DEFORMATION POTENTIALS  FILMS  EPITAXY  ALN   Relationships between strain and band structure in Si(001) and Si(110) nanomembranes 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 2009, 卷号: 80, 期号: 11 Euaruksakul, C; Chen, F; Tanto, B; Ritz, CS; Paskiewicz, DM; Himpsel, FJ; Savage, DE; Liu, Z; Yao, YG; Liu, F; Lagally, MG 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/24 DEFORMATION POTENTIALS  SILICON NANOMEMBRANES  SI  GE  SURFACE  ALLOYS  MOBILITY  SEMICONDUCTORS  SPECTROSCOPY  RELAXATION   Residual stress in the GaN epitaxial film prepared by in situ SiNx deposition 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2005, 卷号: 54, 期号: 11, 页码: 5450 Qin, Q; Yu, NS; Guo, LW; Wang, Y; Zhu, XL; Chen, H; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2013/09/24 PHONON DEFORMATION POTENTIALS  LIGHT-EMITTING-DIODES  OPTICAL-PROPERTIES  PLANE SAPPHIRE  OVERGROWN GAN  ALPHA-GAN  LAYERS  SUBSTRATE  ALN