×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
物理研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2008 [2]
2004 [1]
2003 [2]
2001 [1]
1998 [1]
1996 [1]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
帮助
限定条件
专题:物理研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
A buffer layer for ZnO film growth on sapphire
期刊论文
SURFACE SCIENCE, 2008, 卷号: 602, 期号: 14, 页码: 2600
Zheng, K
;
Guo, QL
;
Wang, EG
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2013/09/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ASSISTED MBE GROWTH
IRON-OXIDE LAYERS
THIN-FILMS
GAN
ALPHA-AL2O3(0001)
HETEROEPITAXY
SUBSTRATE
QUALITY
Highly Efficient Diode-Side-Pumped Six-Rod Nd:YAG Laser
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 3991
Cui, QJ
;
Peng, QJ
;
Zhang, HB
;
Yang, XD
;
Bo, Y
;
Guo, XJ
;
Zhou, Y
;
Lu, YF
;
Cui, DF
;
Xu, ZY
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2013/09/17
ND-YAG LASER
HIGH-BEAM-QUALITY
ROD LASER
POWER
GENERATION
Effects of indium doping on the properties of AlAs/GaAs quantum wells and inverted AlGaAs/GaAs two-dimensional electron gas
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2004, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 519
Shang, XZ
;
Wang, WC
;
Wu, SD
;
Xing, ZG
;
Guo, LW
;
Wang, WX
;
Huang, Q
;
Zhou, JM
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2013/09/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INTERFACE ROUGHNESS
GROWTH
SURFACE
PHOTOLUMINESCENCE
DIFFUSION
MIGRATION
MOBILITY
QUALITY
LENGTH
Formation mechanism of amorphous layer at the interface of Si(111) substrate and AlN buffer layer for GaN
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS, 2003, 卷号: 22, 期号: 22, 页码: 1581
Hu, GQ
;
Kong, X
;
Wang, YQ
;
Wan, L
;
Duan, XF
;
Lu, Y
;
Liu, XL
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2013/09/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HIGH-QUALITY GAN
HETEROEPITAXIAL GROWTH
HETEROSTRUCTURES
Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416
Hu, GQ
;
Kong, X
;
Wan, L
;
Wang, YQ
;
Duan, XF
;
Lu, Y
;
Liu, XL
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2013/09/18
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HIGH-QUALITY GAN
HETEROEPITAXIAL GROWTH
ELECTRON-DIFFRACTION
DEFECT STRUCTURE
HETEROSTRUCTURE
DISLOCATIONS
MICROSCOPY
(111)SI
LAYER
Polarity dependence of hexagonal GaN films on two opposite c faces of Al2O3 substrate
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2001, 卷号: 78, 期号: 25, 页码: 3974
Han, PD
;
Wang, ZG
;
Duan, XF
;
Zhang, Z
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2013/09/24
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SURFACE POLARITY
SINGLE-CRYSTALS
BUFFER LAYER
GROWN GAN
DEPOSITION
MORPHOLOGY
QUALITY
ZNO
The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484
Wang, LS
;
Liu, XL
;
Zan, YD
;
Wang, D
;
Lu, DC
;
Wang, ZG
;
Wang, YT
;
Cheng, LS
;
Zhang, Z
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2013/09/23
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SINGLE CRYSTALLINE GAN
HIGH-QUALITY GAN
INTERMEDIATE LAYER
BUFFER LAYERS
SI
FILMS
ALN
DEPOSITION
SAPPHIRE
TEM study of the structure of GaAs on vicinal Si(001) surface grown by MBE
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 1996, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 829
Yang, Y
;
Chen, H
;
Zhou, YQ
;
Mei, XB
;
Huang, Q
;
Zhou, JM
;
Li, FH
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2013/09/23
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ELECTRON-MICROSCOPY
MISFIT DISLOCATIONS
SI
SILICON
GENERATION
QUALITY
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace