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清华大学 [3]
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期刊论文 [3]
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2010 [3]
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FinFET器件的集约阈电压模型(英文)
期刊论文
2010, 2010
张大伟
;
田立林
;
余志平
;
Zhang Dawei
;
Tian Lilin
;
Yu Zhiping
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A unified charge model comprising both 2D quantum mechanical effects in channels and in poly-silicon gates of MOSFETs
期刊论文
2010, 2010, OCT
Zhang, DW
;
Zhang, H
;
Yu, ZP
;
Tian, LL
收藏
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提交时间:2017/06/15
decanano-scaled MOSFETs
2D-QM effects
GCS approach
QM effects in poly-gates
unified analytical charge model
DEEP-SUBMICROMETER MOSFETS
Engineering, Electrical & Electronic
Physics, Applied
Physics, Condensed Matter
Compact threshold voltage model for FinFETs
期刊论文
2010, 2010
Zhang Dawei
;
Tian Lilin
;
Yu Zhiping
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