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科研机构
兰州大学 [15]
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期刊论文 [15]
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内容类型:期刊论文
专题:兰州大学
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Facile Synthesis of Co9Se8 Quantum Dots as Charge Traps for Flexible Organic Resistive Switching Memory Device
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2016, 卷号: 8, 期号: 2-13, 页码: 30336-30343
作者:
Zhang, P
;
Xu, BH
;
Gao, CX
;
Chen, GL
;
Gao, MZ
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2017/05/09
resistive switching
flexible organic memory
Co9Se8
quantum dots
hybrid nanomaterials
Self-compliance multilevel storage characteristic in HfO2-based device
期刊论文
Chinese Physics B, 2016, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 106102-1-106102-3
作者:
Gao, Xiao-Ping
;
Fu, Li-Ping
;
Chen, Chuan-Bing
;
Yuan, Peng
;
Li, Ying-Tao
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2017/01/12
resistive switching
resistive random access memory
multilevel
self-compliance
Metal/ZnO/MgO/Si/Metal Write-Once-Read-Many-Times Memory
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 卷号: 63, 期号: 9, 页码: 3508-3513
作者:
Zhang, Bosen
;
Hu, Cong
;
Ren, Tianshuang
;
Wang, Bo
;
Qi, Jing
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2017/01/13
MgO
resistive random access memory (RRAM)
resistive switching (RS)
write-once-read-many-times memory (WORM)
ZnO
Voltage-Controlled Bistable Resistive Switching Behavior Based on Ni0.5Zn0.5Fe2O4/BiFeO3/Nb:SrTiO3 Heterostructures
期刊论文
SCIENCE OF ADVANCED MATERIALS, 2016, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 712-717
作者:
Wu, L
;
Dong, CH
;
Zhang, C
;
Jiang, CJ
;
Xue, DS
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2017/01/13
Resistive Switching Behavior
BiFeO3/Nb:SrTiO3 Interface
Nonvolatile Memory Devices
Ferroelectric Polarization
Multifunctional Materials
Configurable Resistive Switching between Memory and Threshold Characteristics for Protein-Based Devices
期刊论文
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2015, 卷号: 25, 期号: 25, 页码: 3825-3831
作者:
Wang, H
;
Du, YM
;
Li, YT
;
Zhu, BW
;
Leow, WR
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2017/01/13
electronic devices
memory
proteins
resistive switching
threshold
The resistive switching memory of CoFe2O4 thin film using nanoporous alumina template
期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2014, 卷号: 9
作者:
Jiang, CJ
;
Wu, L
;
Wei, WW
;
Dong, CH
;
Yao, JL
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2016/03/29
Nanowire
Thin film
Electrochemical deposition
Resistive random access memory
Bipolar resistive switching based on bis(8-hydroxyquinoline) cadmium complex: Mechanism and non-volatile memory application
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: -
作者:
Wang, Y
;
Yang, T
;
Xie, JP
;
Lu, WL
;
Fan, GY
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2015/05/25
resistive switching
memory
aggregation
bis(8-hydroxyquinoline) cadmium
Improving the electrical performance of resistive switching memory using doping technology
期刊论文
CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2012, 卷号: 57, 期号: 11, 页码: 1235-1240
作者:
Wang, Y
;
Liu, Q
;
Lu, HB
;
Long, SB
;
Wang, W
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/05/25
non-volatile memory
resistive random access memory (RRAM)
doping technology
Resistive Switching in Single Epitaxial ZnO Nanoislands
期刊论文
ACS NANO, 2012, 卷号: 6, 期号: 2, 页码: 1051-1058
作者:
Qi, J
;
Olmedo, M
;
Ren, JJ
;
Zhan, N
;
Zhao, JZ
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/05/25
resistive memory scaling
switching mechanism
C-AFM
ZnO
nanoisland
conducting filament
An overview of resistive random access memory devices
期刊论文
CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2011, 卷号: 56, 期号: 28-29, 页码: 3072-3078
-
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/05/25
resistive random access memory
resistive switching
performance parameters
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