×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [3]
西安交通大学 [1]
山东大学 [1]
内容类型
会议论文 [5]
发表日期
2018 [1]
2006 [1]
2005 [1]
2004 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体物理 [2]
半导体材料 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
限定条件
内容类型:会议论文
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Clinical Observation of Single Kidney Transplantation for Adult Recipients from Non-Heartbeating Pediatric Donors
会议论文
作者:
Tian Puxun
;
Xue Wujun
;
Ding Xiaoming
;
Pan Xiaoming
;
Xiang Heli
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2019/11/19
non-heartbeating pediatric donors
kidney transplantation
proteinuria
blood pressure
Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP - Application to improve material quality
会议论文
12th international conference on indium phosphide and related materials, princeton, nj, may 07-11, 2006
Zhao, YW (Zhao, Youwen)
;
Dong, ZY (Dong, Zhiyuan)
;
Dong, HW (Dong, Hongwei)
;
Sun, NF (Sun, Niefeng)
;
Sun, TN (Sun, Tongnian)
收藏
  |  
浏览/下载:63/12
  |  
提交时间:2010/03/29
STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY
CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY
FE-DOPED INP
POINT-DEFECTS
COMPENSATION
TEMPERATURE
DONORS
TRAPS
Improvement of the electrical property of semi-insulating InP by suppression of compensation defects
会议论文
17th international conference on indium phosphide and related materials, glasgow, scotland, may 08-12, 2005
Zhao, YW
;
Dong, ZY
收藏
  |  
浏览/下载:221/68
  |  
提交时间:2010/03/29
ENCAPSULATED CZOCHRALSKI INP
SEMICONDUCTOR COMPOUND-CRYSTALS
STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY
CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY
DEEP-LEVEL DEFECTS
ANNEALING AMBIENT
POINT-DEFECTS
FE
PHOSPHIDE
DONORS
Complex donors in nitrogen-doped diamond
会议论文
Symposium on Surface and Nanoscale Science held at the ICMAT 2003, DEC 07-12, 2003
作者:
Dai, Ying
;
Li, Anyi
;
Zhang, Ying
;
Han, Shenghao
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2019/12/31
complex donors
nitrogen-doped diamond
electronic properties
Electronic and vibrational Raman scattering in resonance with yellow luminescence transitions in GaN on sapphire substrate
会议论文
24th ieee international symposium on compound semiconductors, san diego, california, sep 08-11, 1997
作者:
Jiang DS
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2010/11/15
SHALLOW DONORS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace