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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
会议论文 [5]
发表日期
2008 [1]
2006 [1]
2001 [2]
1998 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
光电子学 [1]
半导体物理 [1]
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内容类型:会议论文
专题:半导体研究所
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Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/03/09
GAS SENSORS
HEMT STRUCTURES
MOBILITY
TEMPERATURE
TRANSISTORS
GROWTH
MOCVD
LAYER
Corrugated surfaces formed on GaAs (331)a substrates: The template for laterally ordered InGaAs nanowires
会议论文
2nd asian conference on nanoscience and nanotechnology, beijing, peoples r china, nov 24-27, 2004
Miao, ZH (Miao, Zhenhua)
;
Gong, Z (Gong, Zheng)
;
Fang, ZD (Fang, Zhidan)
;
Niu, ZC (Niu, Zhichuan)
收藏
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浏览/下载:82/21
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提交时间:2010/03/29
atomic hydrogen
molecular beam epitaxy
step arrays
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ATOMIC-HYDROGEN
VICINAL SURFACE
QUANTUM DOTS
GROWTH
TEMPERATURE
IRRADIATION
MECHANISM
MBE
Optical characterization of the Ge/Si (001) islands in multilayer structure
会议论文
asia-pacific optical and wireless communications conference (apoc 2001), beijing, peoples r china, nov 12-15, 2001
Huang CJ
;
Zuo YH
;
Li C
;
Li DZ
;
Cheng BW
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/10/29
Ge/Si islands
quantum dot
band alignment
PL
SI/SI1-XGEX QUANTUM-WELLS
STRANSKI-KRASTANOV GROWTH
II BAND ALIGNMENT
GE ISLANDS
TEMPERATURE-DEPENDENCE
PHOTOLUMINESCENCE
LAYERS
LUMINESCENCE
ORGANIZATION
MECHANISM
Homoepitaxial growth and device characteristics of SiC on Si-face (0001) 6H-SiC
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Li JM
;
Sun GS
;
Zhu SR
;
Wang L
;
Luo MC
;
Zhang FF
;
Lin LY
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/15
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
semiconducting silicon compounds
LOW-TEMPERATURE GROWTH
FILMS
Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing
会议论文
5th international conference on solid-state and integrated circuit technology, beijing, peoples r china, oct 21-23, 1998
Mo QW
;
Fan TW
;
Gong Q
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Bai YQ
;
Zhang W
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/10/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
COHERENT ISLANDS
GAAS
GROWTH
DOTS
DISLOCATIONS
TEMPERATURE
MECHANISMS
SI(001)
INGAAS
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