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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：physics     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Self-compliance multilevel storage characteristic in HfO2-based device 期刊论文 Chinese Physics B, 2016, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 106102-1-106102-3 作者:  Gao, Xiao-Ping;  Fu, Li-Ping;  Chen, Chuan-Bing;  Yuan, Peng;  Li, Ying-Tao 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/01/12 resistive switching  resistive random access memory  multilevel  self-compliance   A SELF-RECTIFYING BIPOLAR RRAM DEVICE BASED ON Ni/HfO2/n(+)-Si STRUCTURE 期刊论文 MODERN PHYSICS LETTERS B, 2014, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: - 作者:  Li, YT;  Jiang, XY;  Tao, CL 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/05/25 Resistive switching  bipolar  self-rectifying   Bipolar resistive switching based on bis(8-hydroxyquinoline) cadmium complex: Mechanism and non-volatile memory application 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: - 作者:  Wang, Y;  Yang, T;  Xie, JP;  Lu, WL;  Fan, GY 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/05/25 resistive switching  memory  aggregation  bis(8-hydroxyquinoline) cadmium   Improvement of Resistive Switching Uniformity in TiOx Films by Nitrogen Annealing 期刊论文 JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2011, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: L407-L410 作者:  Li, YT;  Wang, Y;  Liu, S;  Long, SB;  Lv, HB 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/05/25 Resistive switching  Uniformity  Titanium oxide  Annealing   Investigation of resistive switching behaviours in WO3-based RRAM devices 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: - 作者:  Li, YT;  Long, SB;  Lu, HB;  Liu, Q;  Wang, Q 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/05/25 resistive random access memory  resistive switching  nonvolatile  WO3