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高能物理研究所 [3]
上海应用物理研究所 [1]
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期刊论文 [4]
发表日期
2005 [2]
2004 [2]
学科主题
Physics [4]
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学科主题:Physics
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Strain relaxation and magnetoresistance of La0.7Ca0.3MnO3 film deposited on MgO substrate
期刊论文
HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 2005, 卷号: 29, 页码: #REF!
作者:
Tan, WS
;
Cai, HL
;
Liu, JS
;
Wu, XS
;
Jiang, SS
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2016/04/11
La0.7Ca0.3MnO3 film
grazing incidence X-ray diffraction
strain relaxation
magnetoresistance properties
Possible abnormal mechanism for lattice strain relaxation in La0.7Ca0.3MnO3 thin film
期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 2005, 卷号: 19, 期号: 15-17, 页码: 2415-2420
作者:
Tan, WS
;
Jia QJ(贾全杰)
;
Jia, QJ
;
Gao, J
收藏
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浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2016/06/29
La0.7Ca0.3MnO3 film
grazing incidence X-ray diffraction
strain relaxation
in-plane lattice parameter
Effect of ion dose on growth of relaxed SiGe layer on ion implantation Si substrate
期刊论文
JOURNAL OF RARE EARTHS, 2004, 卷号: 22, 页码: 26
Chen, CC(陈长春)
;
Liu, ZH
;
Huang, WT
;
Dou, WZ
;
Xiong, XY
;
Zhang, W(张伟)
;
Peihsin, T
;
Cao, JQ(曹建清)
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/05/11
strain relaxation
UHVCVD
ion implantation
SiGe
Microstructures and strain relaxation in modulation-doped AlxGa1-xN/GaN heterostructures
期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 2004, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 989-998
作者:
Tan, WS
;
Shen, B
;
Sha, H
;
Cai, HL
;
Wu, XS
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2016/06/29
high resolution X-ray diffraction
metal organic chemical vapor deposition
reciprocal space mapping
semiconducting III-V nitride
strain relaxation
relaxation line model
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