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科研机构
理论物理研究所 [2]
上海微系统与信息技术... [1]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2012 [1]
2004 [1]
1999 [1]
学科主题
Physics [3]
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Comparison of the performance for InAlAs/GaSbAs/InP DHBT and InP/GaSbAs/InP DHBT
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 12, 页码: 128501
Zhou, SL
;
Wan-Chun, Y
;
Hong-Liang, R
;
Jia, L
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2013/04/17
InAlAs/GaSbAs
InP/GaSbAs
II-type DHBT
Co-ordination between the Rashba spin-orbital interaction and space charge effect and enhanced spin injection into semiconductors in the diffusion region
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2004, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 125-134
作者:
Chui, ST
;
Wu, W
;
Li, JB
;
Yu, Y
;
Wu, W , Chinese Acad Sci, Inst Theoret Phys, POB 2735, Beijing 100080, Peoples R China.
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/08/30
2-dimensional Electron-gas
Inxga1-xas/inp Quantum-wells
Large Magnetoresistance
Tunnel-junctions
Ferromagnet
Interface
Modulation
Transport
Device
The effect of stoichiometric disturbance on activation of MeV Si implantation in GaAs
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1999, 卷号: 152, 期号: 40942, 页码: 307-313
作者:
Zhang, YW
;
Ding, EJ
;
Zhang, TH
;
Zhang, YW , Lund Inst Technol, Dept Phys Nucl, Box 118, S-22100 Lund, Sweden.
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提交时间:2012/08/29
Raman-spectroscopy
Ion-implantation
Inp
Damage
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