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科研机构
上海微系统与信息技术... [8]
海洋研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2010 [3]
2008 [2]
2007 [1]
2006 [1]
2005 [2]
学科主题
Physics, M... [9]
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学科主题:Physics, Multidisciplinary
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Si3.5Sb2Te3 Phase Change Material for Low-Power Phase Change Memory Application
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 108101-108101
Ren, K
;
Rao, F
;
Song, ZT
;
Wu, LC
;
Zhou, XL
;
Xia, MJ
;
Liu, B
;
Feng, SL
;
Xi, W
;
Yao, DN
;
Chen, BM
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
FILMS
Numerical Study on Light Localization in Impedance-Matched Meta-Material Random Systems
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 34206-34206
Chen, HP
;
Yao, PJ
;
Liang, ZX
;
Jiang, XY
;
Han, WD
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/03/24
WEAK-LOCALIZATION
RANDOM-MEDIA
FLUCTUATIONS
PROPAGATION
FILMS
Three-Dimensional Finite Element Simulations for the Thermal Characteristics of PCRAMs with Different Buffer Layer Materials
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 88501-88501
Gong, YF
;
Song, ZT
;
Ling, Y
;
Liu, Y
;
Li, YJ
;
Feng, SL
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
Second-order solutions for random interfacial waves in N-layer density-stratified fluid with steady uniform currents
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2008, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 3387-3393
作者:
Chen Xiao-Gang
;
Guo Zhi-Ping
;
Song Jin-Bao
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/12/24
N-layer Density-stratified Fluid
Uniform Currents
Random Interfacial Waves
Second-order Solutions
High Speed and Ultra-Low-Power Phase Change Line Cell Memory Based on SiSb Thin Films with Nanoscale Gap of Electrodes Less Than 100 nm
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4174-4176
Lv, SL
;
Song, ZT
;
Zhang, T
;
Feng, SL
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
DEVICE
RESIST
Remarkable resistance change in plasma oxidized TiOx/TiNx film for memory application
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 1103-1105
Wu, LC
;
Song, ZT
;
Liu, B
;
Rao, F
;
Xu, C
;
Zhang, T
;
Yin, WJ
;
Feng, SL
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
THIN OXIDE-FILMS
GE2SB2TE5 FILMS
ELECTRICAL-PROPERTIES
NEGATIVE RESISTANCE
NIO FILMS
Total dose radiation tolerance of phase change memory cell with GeSbTe alloy
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2557-2559
Wu, LC
;
Liu, B
;
Song, ZT
;
Feng, GM
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/03/24
AMORPHOUS THIN-FILMS
RANDOM-ACCESS MEMORY
GE2SB2TE5 FILMS
ELECTRICAL-PROPERTIES
NONVOLATILE
GE20TE80-XBIX
IMPLANTATION
TEMPERATURE
TRANSITION
Reversible phase change for C-RAM nano-cell-element fabricated by focused ion beam method
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 758-761
Liu, B
;
Song, ZT
;
Feng, SL
;
Chen, BM
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
GE2SB2TE5 FILMS
CRYSTALLIZATION
TEMPERATURE
MEDIA
Characteristics of Sn-doped Ge2Sb2Te5 films used for phase-change memory
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 2929-2932
Xu, C
;
Liu, B
;
Song, ZT
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
ION-BEAM METHOD
ELECTRICAL-PROPERTIES
OPTICAL-PROPERTIES
CELL-ELEMENT
RESISTANCE
IMPLANTATION
TRANSITION
ALLOYS
MEDIA
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