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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102 作者:  Li MF 收藏  |  浏览/下载：109/7  |  提交时间：2011/07/05 molecular beam epitaxy  anti-phase domain  GaAs/Ge interface  CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  JUNCTION SOLAR-CELLS  DOMAIN-FREE GROWTH  TEMPERATURE  QUALITY  FUTURE   Magnetic properties and rectifying behaviour of silicon doped with gadolinium 期刊论文 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1469-1473 Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 magnetic semiconductor  magnetic p-n junction  ion beam epitaxy  gadolinium silicides  METAL-INSULATOR-TRANSITION  P-N-JUNCTION  INDUCED FERROMAGNETISM  SI/SIER INTERFACE  BEAM EPITAXY  SEMICONDUCTORS  EXCITATION  MAGNETORESISTANCE  ALLOYS   Numerical simulation of nc-Si : H/c-Si heterojunction solar cells 期刊论文 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 217-224 Hu ZH; Liao XB; Zeng XB; Xu YY; Zhang SB; Diao HW; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/08/12 nc-Si : H/c-Si hetero-junction  solar cell  computer simulation  SILICON HETEROJUNCTION  LAYER   Quantum information processing with superconducting qubits in a microwave field 期刊论文 physical review b, 2003, 卷号: 68, 期号: 6, 页码: art.no.064509 You JQ; Nori F 收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2010/08/12 PERSISTENT-CURRENT QUBIT  SINGLE-COOPER-PAIR  JOSEPHSON-JUNCTION  LOGIC GATE  STATES  COMPUTATION  CAVITY  ELECTRODYNAMICS  SUPERPOSITION  OSCILLATIONS   Design of high brightness cubic-GaN LEDs grown on GaAs substrate 期刊论文 journal of the korean physical society, 2003, 卷号: 42, 期号: 0, 页码: s753-s756 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 wafer bunding  cubic GaN  LIGHT-EMITTING-DIODES  FIELD-EFFECT TRANSISTOR  SINGLE-CRYSTAL GAN  MICROWAVE PERFORMANCE  MIRROR  JUNCTION   First charge collection and position-precision data on the medium-resistivity silicon strip detectors before and after neutron irradiation up to 2x10(14) n/cm(2) 会议论文 2nd international conference on radiation effects on semiconductor materials, detectors and devices, florence, italy, mar 04-06, 1998 Li Z; Dezilllie B; Eremin V; Li CJ; Verbitskaya E 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/15 strip detectors  silicon detectors  annealing  simulation  irradiation  N-EFF  JUNCTION DETECTORS  RADIATION-DAMAGE  MODELS   First charge collection and position-precision data on the medium-resistivity silicon strip detectors before and after neutron irradiation up to 2x10(14) n/cm(2) 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section a-accelerators spectrometers detectors and associated equipment, 1999, 卷号: 426, 期号: 1, 页码: 38-46 Li Z; Dezilllie B; Eremin V; Li CJ; Verbitskaya E 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/08/12 strip detectors  silicon detectors  annealing  simulation  irradiation  JUNCTION DETECTORS  RADIATION-DAMAGE  MODELS  N-EFF