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科研机构
半导体研究所 [7]
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期刊论文 [5]
会议论文 [2]
发表日期
2006 [1]
2005 [1]
2002 [1]
2001 [1]
2000 [1]
1998 [2]
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学科主题
半导体物理 [7]
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学科主题:半导体物理
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Mutual passivation of donors and isovalent nitrogen in GaAs
期刊论文
physical review letters, 2006, 卷号: 96, 期号: 3, 页码: art.no.035505
Li J
;
Carrier P
;
Wei SH
;
Li SS
;
Xia JB
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浏览/下载:72/0
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提交时间:2010/04/11
DILUTED GANXAS1-X ALLOYS
GROUP-IV DONORS
SEMICONDUCTOR ALLOYS
OPTICAL-PROPERTIES
BAND
GAN(X)AS1-X
IMPURITIES
HYDROGEN
Improvement of the electrical property of semi-insulating InP by suppression of compensation defects
会议论文
17th international conference on indium phosphide and related materials, glasgow, scotland, may 08-12, 2005
Zhao, YW
;
Dong, ZY
收藏
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浏览/下载:221/68
  |  
提交时间:2010/03/29
ENCAPSULATED CZOCHRALSKI INP
SEMICONDUCTOR COMPOUND-CRYSTALS
STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY
CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY
DEEP-LEVEL DEFECTS
ANNEALING AMBIENT
POINT-DEFECTS
FE
PHOSPHIDE
DONORS
Binding energy of positively and negatively charged excitons in GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells
期刊论文
chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 114-116
Liu JJ
;
Zhang SF
;
Yang GC
;
Li SS
收藏
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浏览/下载:80/5
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提交时间:2010/08/12
BOUND EXCITONS
2-DIMENSIONAL SEMICONDUCTORS
BIEXCITONS
DONORS
Variational calculations of ionized-donor-bound excitons in GaAs-AlxGa1-xAs quantum wells
期刊论文
european physical journal b, 2001, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 17-20
Liu JJ
;
Zhang SF
;
Li YX
;
Kong XJ
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/08/12
BINDING-ENERGY
2-DIMENSIONAL SEMICONDUCTORS
NEUTRAL DONORS
BIEXCITONS
PHOTOLUMINESCENCE
IMPURITY
Binding energy of ionized-donor-bound excitons in the GaAs-AlxGa1-xAs quantum wells
期刊论文
chinese physics letters, 2000, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 358-359
Liu JJ
;
Zhang SF
;
Kong XJ
;
Li SS
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/08/12
2-DIMENSIONAL SEMICONDUCTORS
NEUTRAL DONORS
BIEXCITONS
PHOTOLUMINESCENCE
Electronic and vibrational Raman scattering in resonance with yellow luminescence transitions in GaN on sapphire substrate
期刊论文
compound semiconductors 1997, 1998, 卷号: 156, 期号: 0, 页码: 211-214
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/08/12
SHALLOW DONORS
Electronic and vibrational Raman scattering in resonance with yellow luminescence transitions in GaN on sapphire substrate
会议论文
24th ieee international symposium on compound semiconductors, san diego, california, sep 08-11, 1997
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/15
SHALLOW DONORS
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