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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102 作者:  Li MF 收藏  |  浏览/下载：109/7  |  提交时间：2011/07/05 molecular beam epitaxy  anti-phase domain  GaAs/Ge interface  CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  JUNCTION SOLAR-CELLS  DOMAIN-FREE GROWTH  TEMPERATURE  QUALITY  FUTURE   Polarity dependence of hexagonal GaN films on two opposite c faces of Al2O3 substrate 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 25, 页码: 3974-3976 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：78/9  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SURFACE POLARITY  SINGLE-CRYSTALS  BUFFER LAYER  GROWN GAN  DEPOSITION  MORPHOLOGY  QUALITY  ZNO