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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2009 [1]
2001 [1]
学科主题
半导体材料 [4]
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学科主题:半导体材料
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Fabrication of a novel lumped electro-absorption modulator with a lower RC-time constant
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 10, 页码: 105002
Qiu, Yingping
;
Wang, Yang
;
Shao, Yongbo
;
Zhou, Daibing
;
Liang, Song
;
Zhao, Lingjuan
;
Wang, Wei
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/06/14
Absorption
Capacitance
Fabrication
Light extinction
Semiconducting indium gallium arsenide
Waveguides
Delay of the excited state lasing of 1310 nm InAs/GaAs quantum dot lasers by facet coating
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 17, 页码: art. no. 171101
Cao YL (Cao Yu-Lian)
;
Yang T (Yang Tao)
;
Xu PF (Xu Peng-Fei)
;
Ji HM (Ji Hai-Ming)
;
Gu YX (Gu Yong-Xian)
;
Wang XD (Wang Xiao-Dong)
;
Wang Q (Wang Qing)
;
Ma WQ (Ma Wen-Quan)
;
Chen LH (Chen Liang-Hui)
收藏
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浏览/下载:224/51
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提交时间:2010/05/24
excited states
gallium arsenide
III-V semiconductors
indium compounds
laser tuning
optical films
quantum dot lasers
silicon compounds
tantalum compounds
TEMPERATURE-DEPENDENCE
THRESHOLD
PERFORMANCE
GAIN
Annealing behaviors of long-wavelength InAs/GaAs quantum dots with different growth procedures by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 8, 页码: 2281-2284
作者:
Ye XL
;
Liang S
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浏览/下载:32/4
  |  
提交时间:2010/03/08
Photoluminescence
Metalorganic vapor phase epitaxy
Self-assembled quantum dots
Indium arsenide
Modification of emission wavelength of self-assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs(0 <= x <= 0.3) layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1062-1068
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Feng SL
收藏
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浏览/下载:78/6
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提交时间:2010/08/12
crystal morphology
quantum dots
molecular beam epitaxy
semiconducting gallium arsenide
semiconducting indium gallium arsenide
1.35 MU-M
GAAS-SURFACES
PHOTOLUMINESCENCE
ISLANDS
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