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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416-423 Hu GQ; Kong X; Wan L; Wang YQ; Duan XF; Lu Y; Liu XL 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/08/12 amorphous layer  dislocation  transmission electron microscopy  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  HETEROEPITAXIAL GROWTH  ELECTRON-DIFFRACTION  DEFECT STRUCTURE  HETEROSTRUCTURE  DISLOCATIONS  MICROSCOPY  (111)SI  LAYER   Influence of high-temperature AIN buffer thickness on the properties of GaN grown on Si(111) 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 258, 期号: 1-2, 页码: 34-40 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：302/12  |  提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  semiconductor III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  INTERMEDIATE LAYER  ALAS  ALN  SURFACES  SILICON  FILMS   Formation mechanism of amorphous layer at the interface of Si(111) substrate and AlN buffer layer for GaN 期刊论文 journal of materials science letters, 2003, 卷号: 22, 期号: 22, 页码: 1581-1583 Hu GQ; Kong X; Wang YQ; Wan L; Duan XF; Lu Y; Liu XL 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  HETEROEPITAXIAL GROWTH  HETEROSTRUCTURES   Effect of in situ thermal treatment during growth on crystal quality of GaN epilayer grown on sapphire substrate by MOVPE 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 222, 期号: 1-2, 页码: 110-117 Xu HZ; Takahashi K; Wang CX; Wang ZG; Okada Y; Kawabe M; Harrison I; Foxon CT 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  metalorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE) annealing  crystal quality  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  BUFFER LAYER  PHASE EPITAXY  DEPENDENCE  DEFECTS   The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484-490 Wang LS; Liu XL; Zan YD; Wang D; Lu DC; Wang ZG; Wang YT; Cheng LS; Zhang Z 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  MOVPE growth  Al2O3 coated Si substrate  crystal structure  photoluminescence spectrum  SINGLE CRYSTALLINE GAN  HIGH-QUALITY GAN  INTERMEDIATE LAYER  BUFFER LAYERS  SI  FILMS  ALN  DEPOSITION  SAPPHIRE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY