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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：北京航空航天大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Junction Temperature Extraction Methods for Si and SiC Power Devices-a Review and Possible Alternatives [Si和SiC功率器件结温提取技术现状及展望] 期刊论文 Diangong Jishu Xuebao/Transactions of China Electrotechnical Society, 2019, 卷号: 34, 页码: 703-716 作者:  Wang, L.;  Deng, J.;  Yang, J.;  Li, W. 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/30 Extraction  Junction gate field effect transistors  Semiconductor junctions  Silicon  Silicon carbide  Wide band gap semiconductors  Health assessments  Intelligent switching  Junction temperatures  Measuring frequency  Online extraction  Reverse breakdown voltage  Temperature characteristic  Temperature sensitive  Power semiconductor devices