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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Silicon Oxide Electron-Emitting Nanodiodes 期刊论文 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 卷号: 4, 期号: 8, 页码: 6 作者:  Wu, Gongtao;  Li, Zhiwei;  Tang, Zhigiang;  Wei, Dapeng;  Zhang, Gengmin 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2018/09/25 graphene  on-chip electron source  resistive switching  silicon oxide   Preparation of siliconized graphite by liquid silicon infiltration of porous carbon materials 会议论文 作者:  Zhao, Ying Ying;  Wang, Wei Min;  Xia, Hong Yan;  Wang, Ji Ping 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/11/19 Ball milling time  Carbon source  Graphite content  Graphite powder  Liquid silicon infiltration  Mesocarbon microbeads  Moulding pressure  Porous carbon materials   Operation and Modulation of H7 Current-Source Inverter With Hybrid SiC and Si Semiconductor Switches 期刊论文 IEEE JOURNAL OF EMERGING AND SELECTED TOPICS IN POWER ELECTRONICS, 2018, 卷号: 6, 期号: 1, 页码: 387-399 作者:  Wang, Weiqi;  Gao, Feng;  Yang, Yongheng;  Blaabjerg, Frede 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/11 Efficiency improvement  H7 current source inverter (CSI)  silicon  carbide (SiC) switch  zero-current switching (ZCS)   Improving ESD Protection Robustness Using SiGe Source/Drain Regions in Tunnel FET 期刊论文 2018, 卷号: 9 作者:  Yang, Zhaonian;  Yang, Yuan;  Yu, Ningmei;  Liou, Juin J. 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/20 band-to-band tunneling (BTBT)  electrostatic discharge (ESD)  tunnel field-effect transistor (TFET)  Silicon-Germanium source  drain (SiGe S  D)  technology computer aided design (TCAD)   Design of SiC-Based Single-Phase Quasi-Z-Source Inverter 会议论文 PROCEEDINGS 2018 IEEE 12TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON COMPATIBILITY, POWER ELECTRONICS AND POWER ENGINEERING (CPE-POWERENG 2018), 2018-01-01 作者:  Liu, Yushan;  Abu-Rub, Haitham;  Wu, Yichang;  Ghazi, Khalid Ahamed 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/30 Silicon carbide  single-phase inverter  quasi-Z-source inverter  switching frequency  power density