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上海技术物理研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2017 [2]
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发表日期:2017
专题:上海技术物理研究所
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Recent Progress on Localized Field Enhanced Two-dimensional Material Photodetectors from Ultraviolet-Visible to Infrared
期刊论文
SMALL, 2017, 卷号: 13, 期号: 35
作者:
Wang JL
;
Fang HH
;
Wang XD
;
Chen XS
;
Lu W
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提交时间:2018/11/20
DER-WAALS HETEROSTRUCTURES
P-N-JUNCTIONS
FEW-LAYER MOS2
INTEGRATED GRAPHENE PHOTODETECTOR
PULSED-LASER DEPOSITION
HIGH-PERFORMANCE
BROAD-BAND
HIGH-RESPONSIVITY
ROOM-TEMPERATURE
PHOTOCURRENT GENERATION
Performance of back-illuminated In0.09Ga0.91N-based p-i-n photodetector
期刊论文
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2017, 卷号: 49, 期号: 4
作者:
Huang B
;
Xu JT
;
Wang L
;
Zhang Y
;
Li XY
收藏
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2018/11/20
InGaN
p-i-n
Ultraviolet photodetector
Simulation
Responsivity
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