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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2016     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Schottky barrier and contact resistance of InSb nanowire field-effect transistors 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2016 Fan, Dingxun; Kang, N.; Ghalamestani, Sepideh Gorji; Dick, Kimberly A.; Xu, H. Q. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 nanowire  field-effect transistor  InSb  Schottky barrier  contact resistance  magnetotransport  BIAS CONDUCTANCE PEAK  HYBRID DEVICE  QUANTUM DOTS  ELECTRON  ACCUMULATION  PERFORMANCE  SURFACES   Free-Standing Two-Dimensional Single-Crystalline InSb Nanosheets 期刊论文 NANO LETTERS, 2016 Pan, D.; Fan, D. X.; Kang, N.; Zhi, J. H.; Yu, X. Z.; Xu, H. Q.; Zhao, J. H. 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03 Free-standing layered InSb  single-crystalline  mobility  molecular-beam epitaxy  BIAS CONDUCTANCE PEAK  NANOWIRE HETEROSTRUCTURES  HYBRID DEVICE  QUANTUM DOTS  SEMICONDUCTOR  SPINTRONICS  TRANSISTORS  EPITAXY  FUTURE  GROWTH   k.p theory of freestanding narrow band gap semiconductor nanowires 其他 2016-01-01 Luo, Ning; Liao, Gaohua; Xu, H. Q. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  LIGHT-EMITTING-DIODES  BIAS CONDUCTANCE PEAK  CYCLOTRON-RESONANCE  SILICON NANOWIRES  SOLAR-CELLS  ELECTRONIC-PROPERTIES  QUANTUM WIRES  HYBRID DEVICE  INSB   k.p theory of freestanding narrow band gap semiconductor nanowires 期刊论文 3rd International Conference on Phononic Crystals/Metamaterials, Phonon Transport and Phonon Coupling, 2016 Luo, Ning; Liao, Gaohua; Xu, H. Q. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  LIGHT-EMITTING-DIODES  BIAS CONDUCTANCE PEAK  CYCLOTRON-RESONANCE  SILICON NANOWIRES  SOLAR-CELLS  ELECTRONIC-PROPERTIES  QUANTUM WIRES  HYBRID DEVICE  INSB