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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2016     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Passivation effect of atomic layer deposition of al2o3 film on hgcdte infrared detectors 期刊论文 Journal of electronic materials, 2016, 卷号: 45, 期号: 9, 页码: 4716-4720 作者:  Zhang, Peng;  Ye, Zhen-Hua;  Sun, Chang-Hong;  Chen, Yi-Yu;  Zhang, Tian-Ning 收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2019/05/09 Ald al2o3  Minority carrier lifetime  C-v characteristics  R-v characteristics  Baking stability   Electrical characterization of Cu Schottky contacts to n-type GaAsN grown on (311)A/B GaAs substrates 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: 657, 页码: 325-329 作者:  Dong C(董琛);  Han XX(韩修训);  Gao, Xin;  Yoshio Ohshita;  Masafumi Yamaguchi 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/12/30 GaAsN  Schottky diode  Growth orientation  I-V characteristics  C-V characteristics  Electrical properties