QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：华南理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A comparative study on the properties of c-plane and a-plane GaN epitaxial films grown on sapphire substrates by pulsed laser deposition (EI收录) 期刊论文 Vacuum, 2016, 卷号: 128, 页码: 158-165 作者:  Wang, Wenliang[1,2];  Yang, Weijia[1,2];  Wang, Haiyan[1,2];  Zhu, Yunnong[1,2];  Yang, Meijuan[1,2] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/24 Crystalline materials  Deposition  Epitaxial films  Full width at half maximum  Gallium alloys  Gallium nitride  Interfaces (materials)  Optical properties  Pulsed laser deposition  Pulsed lasers  Residual stresses  Sapphire  Surface roughness