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科研机构
北京大学 [3]
内容类型
期刊论文 [2]
其他 [1]
发表日期
2015 [3]
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发表日期:2015
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Investigation of Hole Mobility in Strained InSb Ultrathin Body pMOSFETs
期刊论文
ieee电子器件汇刊, 2015
Chang, Pengying
;
Liu, Xiaoyan
;
Zeng, Lang
;
Wei, Kangliang
;
Du, Gang
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/10
Hole mobility
InSb
modeling
MOSFETs
scattering
self-consistent
six-band k . p
ultrathin body (UTB)
V COMPOUND SEMICONDUCTORS
INVERSION-LAYER MOBILITY
DEFORMATION POTENTIALS
SURFACE ORIENTATION
QUANTUM-WELLS
ON-INSULATOR
BAND
THICKNESS
PHYSICS
Hole mobility in InSb-based devices: Dependence on surface orientation, body thickness, and strain
其他
2015-01-01
Chang, Pengying
;
Liu, Xiaoyan
;
Zeng, Lang
;
Du, Gang
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2017/12/03
Surface orientation
Strain
Hole mobility
InSb
III-V semiconductor
Modeling
V COMPOUND SEMICONDUCTORS
DEFORMATION POTENTIALS
INVERSION-LAYERS
Hole mobility in InSb-based devices: Dependence on surface orientation, body thickness, and strain
期刊论文
44th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2015
Chang, Pengying
;
Liu, Xiaoyan
;
Zeng, Lang
;
Du, Gang
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2017/12/03
Surface orientation
Strain
Hole mobility
InSb
III-V semiconductor
Modeling
V COMPOUND SEMICONDUCTORS
DEFORMATION POTENTIALS
INVERSION-LAYERS
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