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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2013    学科主题：chemistry     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Substrate Engineering by Hexagonal Boron Nitride/SiO2 for Hysteresis-Free Graphene FETs and Large-Scale Graphene p-n Junctions 期刊论文 CHEMISTRY-AN ASIAN JOURNAL, 2013, 卷号: 8, 期号: 10 - 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2014/12/05 boron nitride  hysteresis  field-effect transistors  graphene  substrate engineering