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科研机构
大连理工大学 [3]
内容类型
学位论文 [2]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [3]
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发表日期:2011
专题:大连理工大学
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In插入层对InN薄膜MBE外延质量的影响
会议论文
第十八届全国半导体物理学术会议, 呼和浩特, 2011-08-20
作者:
沈春生
;
吴国光
;
郭忠杰
;
李万程
;
宋力君
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提交时间:2019/12/18
半导体材料
氮化铟薄膜
等离子体辅助分子束外延技术
技术改造
Fe(Ni)-N纳米粒子的制备及电磁性能
学位论文
: 大连理工大学, 2011
作者:
王飞
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提交时间:2019/12/18
直流电弧等离子体
固-气反应
氮化物纳米粒子
电磁性能
微波吸收
基于ECR-PEMOCVD技术在蓝宝石衬底上高C轴择优的InN薄膜的制备及表征
学位论文
: 大连理工大学, 2011
作者:
周志峰
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提交时间:2019/12/18
氮化铟
等离子体增强金属有机物化学气相沉积
蓝宝石衬底
低温沉积
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