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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2011    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Single Neutral Excitons Confined in AsBr3 In Situ Etched In GaAs Quantum Rings 期刊论文 journal of nanoelectronics and optoelectronics, 2011, 卷号: 6, 期号: 1, 页码: 51-57 Ding F; Li B; Akopian N; Perinetti U; Chen YH; Peeters FM; Rastelli A; Zwiller V; Schmidt OG 收藏  |  浏览/下载：74/5  |  提交时间：2011/07/05 Quantum Ring  Quantum Dot  Neutral Exciton  Aharonov Bohm Effect  Gate Controlled  Selective Etching  ENERGY-SPECTRA   Short-wavelength InAlGaAs/AlGaAs quantum dot superluminescent diodes 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 108503 Liang, DC; An, Q; Jin, P; Li, XK; Wei, H; Wu, J; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/02/06 InAlGaAs quantum dot  superluminescent diode  optical coherence tomography  short wavelength  OPTICAL COHERENCE TOMOGRAPHY  RESOLUTION   1.3-mu m In(Ga)As Quantum-Dot VCSELs Fabricated by Dielectric-Free Approach With Surface-Relief Process 期刊论文 ieee photonics technology letters, 2011, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 91-93 Xu DW; Yoon SF; Ding Y; Tong CZ; Fan WJ; Zhao LJ 收藏  |  浏览/下载：103/2  |  提交时间：2011/07/05 Dielectric-free approach  quantum dot (QD)  surface-relief technique  vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs)  EMITTING LASERS   Theoretical study on InxGa1-xN/GaN quantum dots solar cell 期刊论文 physica b-condensed matter, 2011, 卷号: 406, 期号: 1, 页码: 73-76 作者:  Hou QF;  Yin HB;  Deng QW 收藏  |  浏览/下载：121/9  |  提交时间：2011/07/05 Efficiency  Quantum dot  GaN  EFFICIENCY