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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2008    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Temperature sensitivity dependence on cavity length in p-type doped and undoped 1.3-mu m inas-gaas quantum-dot lasers 期刊论文 Ieee photonics technology letters, 2008, 卷号: 20, 期号: 21-24, 页码: 1860-1862 作者:  Cao, Yulian;  Yang, Tao;  Ji, Haiming;  Ma, Wenquan;  Cao, Qing 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Characteristics temperature  P-doped  Quantum-dot (qd) laser  Saturation modal gain   Temperature Sensitivity Dependence on Cavity Length in p-Type Doped and Undoped 1.3-mu m InAs-GaAs Quantum-Dot Lasers 期刊论文 ieee photonics technology letters, 2008, 卷号: 20, 期号: 21-24, 页码: 1860-1862 作者:  Yang T;  Cao YL;  Ma WQ 收藏  |  浏览/下载：239/72  |  提交时间：2010/03/08 Characteristics temperature  p-doped  quantum-dot (QD) laser  saturation modal gain