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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2008 [3]
学科主题
光电子学 [3]
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发表日期:2008
学科主题:光电子学
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Temperature Sensitivity Dependence on Cavity Length in p-Type Doped and Undoped 1.3-mu m InAs-GaAs Quantum-Dot Lasers
期刊论文
ieee photonics technology letters, 2008, 卷号: 20, 期号: 21-24, 页码: 1860-1862
作者:
Yang T
;
Cao YL
;
Ma WQ
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浏览/下载:240/72
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提交时间:2010/03/08
Characteristics temperature
p-doped
quantum-dot (QD) laser
saturation modal gain
Comparative study of optical properties between quantum dot chains band quantum dots
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2008, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 161-+
Wang, BR
;
Sun, Z
;
Xu, ZY
;
Sun, BQ
;
Ji, Y
;
Wang, ZM
;
Salamo, GJ
收藏
  |  
浏览/下载:46/3
  |  
提交时间:2010/03/08
InGaAs/GaAs
quantum dots
quantum dot chains
optical properties
Polarization dependence of absorption in strongly vertically coupled InAs/GaAs quantum dots for two-color far-infrared photodetector
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 633-636
作者:
Xu B
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提交时间:2010/03/08
quantum dot
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