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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2006    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Evaluation of negative bias temperature instability in ultra-thin gate oxide pMOSFETs using a new on-line PDO method 期刊论文 中国物理英文版, 2006 Ji Zhi-Gang; Xu Ming-Zhen; Tan Chang-Hua 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/16 negative bias temperature instability  proportional differential operator  degradation  INTERFACE STATE GENERATION  DEEP-SUBMICRON PMOSFETS  HIGH ELECTRIC-FIELDS  NBTI DEGRADATION  MOS DEVICES  MOSFETS  STRESS  MECHANISM