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北京大学 [2]
内容类型
其他 [2]
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2005 [2]
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发表日期:2005
内容类型:其他
专题:北京大学
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ICP体硅深刻蚀中侧壁形貌控制的研究
其他
2005-01-01
陈兢
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提交时间:2015/11/11
刻蚀侧壁形貌
电感耦合等离子
深反应离子刻蚀
微机电系统
Notching效应
Bowing效应
PECVD SiC材料刻蚀技术研究
其他
2005-01-01
陈晟
;
李志宏
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张国炳
;
郭辉
;
王煜
;
田大宇
;
李素兰
;
边伟
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提交时间:2015/11/11
PECVD碳化硅
反应离子刻蚀
电感耦合离子刻蚀
氢含量
功率
压强
刻蚀速率
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