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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2000    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well 会议论文 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000 Luo XD; Xu ZY; Sun BQ; Pan Z; Li LH; Lin YW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29 GaNAs  photoluminescence  band offset  band bowing coefficient  localized exciton  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALLOYS  TEMPERATURE  GAASN   Effects of rapid thermal annealing on the optical properties of GaNxAs1-x/GaAs single quantum well structure grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 87, 期号: 1, 页码: 245-248 Li LH; Pan Z; Zhang W; Lin YW; Zhou ZQ; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 BAND-GAP ENERGY  SUPERLATTICES  DEPENDENCE  ALLOYS  GAASN   Pressure behaviour of self-assembled In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dots with multi-modal distribution in size 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 2000, 卷号: 12, 期号: 13, 页码: 3173-3180 Chen Y; Zhang W; Li GH; Zhu ZM; Han HX; Wang ZP; Zhou W; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 HYDROSTATIC-PRESSURE  ALXGA1-XAS ALLOYS  PHOTOLUMINESCENCE  WELLS  LUMINESCENCE  DEPENDENCE   Interband luminescence and absorption of GaNAs/GaAs single-quantum-well structures 期刊论文 applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 20, 页码: 2862-2864 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 ALLOYS  GAASN  NITROGEN  PHOTOLUMINESCENCE  LOCALIZATION  SPECTROSCOPY