QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2000    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.3) cap layer on structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2000, 卷号: 39, 期号: 9a, 页码: 5076-5079 Wang XD; Niu ZC; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs quantum dots  strain-reduction  molecular beam epitaxy (MBE)  red shift  photoluminescence  1.3 MU-M  INGAAS  ENERGY   Electronic characteristics of InAs self-assembled quantum dots 会议论文 9th international conference on modulated semiconductor structures (mss9), fukuoka, japan, jul 12-16, 1999 Wang HL; Feng SL; Zhu HJ; Ning D; Chen F 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 InAs/GaAs quantum dots  self-assembled structure  DLTS  PL  band offset  ENERGY-LEVELS  CARRIER RELAXATION  SPECTROSCOPY   Electronic characteristics of InAs self-assembled quantum dots 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2000, 卷号: 7, 期号: 3-4, 页码: 383-387 Wang HL; Feng SL; Zhu HJ; Ning D; Chen F 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs/GaAs quantum dots  self-assembled structure  DLTS  PL  band offset  ENERGY-LEVELS  CARRIER RELAXATION  SPECTROSCOPY