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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2000 [2]
学科主题
半导体物理 [2]
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发表日期:2000
学科主题:半导体物理
内容类型:期刊论文
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Influence of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.3) cap layer on structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2000, 卷号: 39, 期号: 9a, 页码: 5076-5079
Wang XD
;
Niu ZC
;
Feng SL
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2010/08/12
InAs quantum dots
strain-reduction
molecular beam epitaxy (MBE)
red shift
photoluminescence
1.3 MU-M
INGAAS
ENERGY
Electronic characteristics of InAs self-assembled quantum dots
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2000, 卷号: 7, 期号: 3-4, 页码: 383-387
Wang HL
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Ning D
;
Chen F
收藏
  |  
浏览/下载:40/0
  |  
提交时间:2010/08/12
InAs/GaAs quantum dots
self-assembled structure
DLTS
PL
band offset
ENERGY-LEVELS
CARRIER RELAXATION
SPECTROSCOPY
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