QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 专题：近代物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Engineering and Microscopic Mechanism of Quantum Emitters Induced by Heavy Ions in hBN 期刊论文 ACS PHOTONICS, 2021, 卷号: 8, 期号: 10, 页码: 2912-2922 作者:  Gu, Rui;  Wang, Lei;  Zhu, Huiping;  Han, Shuangping;  Bai, Yurong 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2021/12/13 heavy ion irradiation  hBN  quantum emitters  PL mapping  production efficiency  point defects   Radiation effects of heavy ions on the static and dynamic characteristics of 850 nm high-speed vertical cavity surface emitting lasers 期刊论文 JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2021, 卷号: 237, 页码: 7 作者:  Shan, Xiaoting;  Li, Bo;  Zhao, Fazhan;  Wang, Lei;  Sun, Yun 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2021/12/09 VCSEL  Radiation effects  Dynamic characteristics  Quantum wells   Nanoscale magnetic field sensing and imaging based on nitrogen-vacancy center in diamond 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2018, 卷号: 67, 期号: 13 作者:  Wang ChengJie;  Shi FaZhan;  Wang PengFei;  Duan ChangKui;  Du JiangFeng 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2021/12/13 N-V CENTER  NUCLEAR-SPIN QUBITS  AMBIENT CONDITIONS  RESONANCE-SPECTROSCOPY  ELECTRONIC-STRUCTURE  SINGLE-SPIN  MAGNETOMETER  POLARIZATION  nitrogen-vacancy color center  quantum measurement  magnetic sensing  magnetic imaging   A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM 会议论文 作者:  Yan, Weiwei;  Wang, Bin;  Zeng, Chuanbin;  Geng, Chao;  Liu, Tianqi 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2018/08/20 Heavy ion irradiation  Single event upset  Active delay element  SRAM cell  Radiation hardened  Silicon-on-insulator   A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2017, 卷号: 406, 页码: 437-442 作者:  Wang, Bin;  Zeng, Chuanbin;  Geng, Chao;  Liu, Tianqi;  Khan, Maaz 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2018/05/31 Heavy ion irradiation  Single event upset  Active delay element  SRAM cell  Radiation hardened  Silicon-on-insulator