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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：近代物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Contributions of N+, N-2(+), NO+ Ion Implantation to p-Type Conversion of ZnO:Al Films 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE, 2011, 卷号: 39, 页码: 711-716 作者:  Li, Zebin;  Liang, Rongqing;  Ou, Qiongrong;  Zhang, Shuyu;  He, Long 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/05/31 N-Al codoping  plasma immersion ion implantation (PIII)  p-type ZnO   p-Type Conversion of ZnO Thin Films by Plasma Immersion Ion Implantation 期刊论文 ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2009, 卷号: 12, 页码: H329-H332 作者:  Zhang, Shuyu;  Liang, Rongqing;  Ou, Qiongrong;  Wu, Xiaojing;  Jiang, Meifu 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/05/31 aluminium  annealing  doping profiles  electrical resistivity  hole density  hole mobility  II-VI semiconductors  nitrogen  plasma immersion ion implantation  semiconductor doping  semiconductor thin films  sputter deposition  vacancies (crystal)  wide band gap semiconductors  zinc compounds