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| 一种发光效率增强的半导体激光器 专利 专利号: CN106410605B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27 作者: 魏志鹏; 方铉; 牛守柱; 唐吉龙; 王登魁
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| 一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法 专利 专利号: CN108183391B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27 作者: 魏志鹏; 贾慧民; 唐吉龙; 牛守柱; 王登魁
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| 一种窄线宽半导体激光器 专利 专利号: CN108054634A, 申请日期: 2018-05-18, 公开日期: 2018-05-18 作者: 魏志鹏; 唐吉龙; 贾慧民; 方铉; 房丹
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| Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器 专利 专利号: CN104638517B, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04 作者: 唐吉龙; 魏志鹏; 方铉; 房丹; 高娴
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| Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器 专利 专利号: CN104638517B, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04 作者: 唐吉龙; 魏志鹏; 方铉; 房丹; 高娴
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