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一种发光效率增强的半导体激光器 专利
专利号: CN106410605B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
作者:  魏志鹏;  方铉;  牛守柱;  唐吉龙;  王登魁
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一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法 专利
专利号: CN108183391B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
作者:  魏志鹏;  贾慧民;  唐吉龙;  牛守柱;  王登魁
收藏  |  浏览/下载:73/0  |  提交时间:2019/12/24
一种窄线宽半导体激光器 专利
专利号: CN108054634A, 申请日期: 2018-05-18, 公开日期: 2018-05-18
作者:  魏志鹏;  唐吉龙;  贾慧民;  方铉;  房丹
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Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器 专利
专利号: CN104638517B, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04
作者:  唐吉龙;  魏志鹏;  方铉;  房丹;  高娴
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Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器 专利
专利号: CN104638517B, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04
作者:  唐吉龙;  魏志鹏;  方铉;  房丹;  高娴
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