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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种碲镉汞器件埋结工艺 专利 专利号: 201610236474.5, 申请日期: 2016-04-15, 公开日期: 2017-06-27 作者:  1 张姗 2胡晓宁 3 樊华 4廖清君 5叶振华 6林春 7丁瑞军 8何力 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/12/12 碲镉汞红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法 专利 专利号: 200910198969.3, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07 作者:  1 叶振华 2 黄建 3 胡伟达 4 尹文婷5 林春 6 陈路 7 廖清君8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2011/07/07 红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法 专利 专利号: 200910198962.1, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07 作者:  1 叶振华 2尹文婷3胡伟达4 黄建5 马伟平 6 林春 7 廖清君 8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2011/07/07 带有增透会聚微镜的红外焦平面探测器及微镜制备方法 专利 专利号: 200610118053.9, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2011-07-06 作者:  1叶振华2周文洪3廖清君4胡晓宁5王晨飞6丁瑞军 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2011/07/06