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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO(2)(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 245402 Fu D; Zhang R; Liu B; Xie ZL; Xiu XQ; Gu SL; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/02/06 FUNDAMENTAL-BAND GAP  INDIUM NITRIDE  BUFFER LAYER  DEPENDENCE  SAPPHIRE  MOCVD   Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402 Fu D; Zhang R; Liu B; Xie ZL; Xiu XQ; Gu SL; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：37/2  |  提交时间：2011/07/05 FUNDAMENTAL-BAND GAP  INDIUM NITRIDE  BUFFER LAYER  DEPENDENCE  SAPPHIRE  MOCVD   Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown by MOCVD 期刊论文 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420 作者:  Li Y;  Chen P;  Jiang DS;  Wang H;  Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：50/4  |  提交时间：2010/03/08 InN  dislocation  carrier origination  localization   Observation of the surface circular photogalvanic effect in InN films 期刊论文 solid state communications, 2009, 卷号: 149, 期号: 25-26, 页码: 1004-1007 Zhang Z; Zhang R; Xie ZL; Liu B; Li M; Fu DY; Fang HN; Xiu XQ; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Tang CG; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：158/1  |  提交时间：2010/03/08 InN  Surface charge accumulation layer  Spin-dependent current  Spin splitting   The growth temperatures dependence of optical and electrical properties of InN films 期刊论文 science in china series g-physics mechanics & astronomy, 2008, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 237-242 Liu, B; Zhang, R; Xie, ZL; Xiu, XQ; Li, L; Kong, JY; Yu, HQ; Han, P; Gu, SL; Shi, Y; Zheng, YD; Tang, CG; Chen, YH; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：49/2  |  提交时间：2010/03/08 metalorganic chemical vapor deposition  X-ray diffraction  photoluminescence   Circular photogalvanic effect at inter-band excitation in InN 期刊论文 solid state communications, 2008, 卷号: 145, 期号: 4, 页码: 159-162 Zhang, Z; Zhang, R; Liu, B; Xie, ZL; Xiu, XQ; Han, R; Lu, H; Zheng, YD; Chen, YH; Tang, CG; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：67/2  |  提交时间：2010/03/08 InN  photogalvanic  inter-band transition   Comment on "radiative and nonradiative recombination process in inn films grown by metal organic chemical vapor deposition" [appl. phys. lett. 86, 142104 (2005)] 期刊论文 Applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 17, 页码: 2 作者:  Liu, B;  Zhang, R;  Xie, ZL;  Xiu, XQ;  Bi, ZX 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Comment on 期刊论文 applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 17, 页码: art.no.176101 Liu B; Zhang R; Xie ZL; Xiu XQ; Bi ZX; Gu SL; Shi Y; Zheng YD; Hu LJ; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：126/32  |  提交时间：2010/03/17