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半导体研究所 [15]
内容类型
期刊论文 [15]
发表日期
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2007 [4]
2006 [3]
1992 [1]
1991 [1]
1990 [2]
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Growth and fabrication of AlGaN/GaN HEMT based on Si(111) substrates by MOCVD
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111
Luo, WJ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Guo, LC
;
Li, JP
;
Liu, HX
;
Chen, YL
;
Yang, FH
;
Li, JM
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/GaN
high electron mobility transistor (HEMT)
Si (111)
Growth temperature dependences of InN films grown by MOCVD
期刊论文
applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 3149-3152 part 2
Yang, CB
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Zhang, XB
;
Hua, GX
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Li, JP
;
Li, JM
;
Wang, ZG
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浏览/下载:69/1
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提交时间:2010/03/08
InN
MOCVD
Mobility
The effect of low temperature AlN interlayers on the growth of GaN epilayer on Si (111) by MOCVD
期刊论文
superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 153-159
Luo, WJ
;
Wang, XL
;
Guo, LC
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Li, JP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:85/1
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提交时间:2010/03/08
gallium nitride crack
low temperature aluminum nitride
interlayer
silicon
Growth and characterization of AlGaN/AlN/GaN HEMT structures with a compositionally step-graded AlGaN barrier layer
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 1705-1708
Ma ZY (Ma Zhi-Yong)
;
Wang XL (Wang Xiao-Liang)
;
Hu GX (Hu Guo-Xin)
;
Ran JX (Ran Jun-Xue)
;
Xiao HL (Xiao Hong-Ling)
;
Luo WJ (Luo Wei-Jun)
;
Tang J (Tang Jian)
;
Li JP (Li Jian-Ping)
;
Li JM (Li Jin-Min)
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浏览/下载:70/0
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提交时间:2010/03/29
ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS
Characteristics of high Al content AlxGa1-xN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
microelectronics journal, 2007, 卷号: 38, 期号: 8-9, 页码: 838-841
Wang XY (Wang, Xiaoyan)
;
Wang XL (Wang, Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu, Guoxin)
;
Wang BZ (Wang, Baozhu)
;
Ma ZY (Ma, Zhiyong)
;
Xiao HL (Xiao, Hongling)
;
Wang CM (Wang, Cuimei)
;
Ran JX (Ran, Junxue)
;
Li JP (Li, Jianping)
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/03/29
AlxGa1-xN
Effects of doping on the crystalline quality and composition distribution in InGaN/GaN structure grown by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 235-238
Ran JX (Ran Junxue)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Li JP (Li Jianping)
;
Wang BZ (Wang Baozhu)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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浏览/下载:137/0
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提交时间:2010/03/29
doping
Investigation of optical quenching of photoconductivity in high-resistivity GaN epilayer
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 800-803
Fang CB (Fang Cebao)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XY (Wang Xiaoyan)
;
Li JP (Li Jianping)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Li CJ (Li Chengji)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang Zanguo)
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/03/29
deep defect
The effect of aln growth time on the electrical properties of al0.38ga0.62n/aln/gan hemt structures
期刊论文
Journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 2, 页码: 415-418
作者:
Wang, CM
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Xiao, HL
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
2deg
Mocvd
Semiconducting iii-v materials
Hemt
Power devices
The effect of AlN growth time on the electrical properties of Al0.38Ga0.62N/AlN/GaN HEMT structures
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 2, 页码: 415-418
Wang CM
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Xiao HL
;
Li JP
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/04/11
2DEG
MOCVD
semiconducting III-V materials
HEMT
power devices
HETEROSTRUCTURES
PASSIVATION
SAPPHIRE
ALGAN
FIELD
GAS
Growth and annealing study of Mg-doped AlGaN and GaN/AlGaN superlattices
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 2187-2189
Wang BZ (Wang Bao-Zhu)
;
Wang XL (Wang Xiao-Liang)
;
Hu GX (Hu Guo-Xin)
;
Ran JX (Ran Jun-Xue)
;
Wang XH (Wang Xin-Hua)
;
Guo LC (Guo Lun-Chun)
;
Xiao HL (Xiao Hong-Ling)
;
Li JP (Li Jian-Ping)
;
Zeng YP (Zeng Yi-Ping)
;
Li JM (Li Jin-Min)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/04/11
LIGHT-EMITTING-DIODES
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