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半导体研究所 [19]
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期刊论文 [19]
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专题:半导体研究所
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Room-Temperature Operation of 2.4 mu m InGaAsSb/AlGaAsSb Quantum-Well Laser Diodes with Low-Threshold Current Density
期刊论文
chinese physics letters, 2014, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 054204
Xing, JL
;
Zhang, Y
;
Liao, YP
;
Wang, J
;
Xiang, W
;
Xu, YQ
;
Wang, GW
;
Ren, ZW
;
Niu, ZC
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2015/04/02
Investigation of interfaces in AlSb/InAs/Ga0.71In0.29Sb quantum wells by photoluminescence
期刊论文
journal of applied physics, 2014, 卷号: 116, 期号: 12, 页码: 123107
Xing, JL
;
Zhang, Y
;
Liao, YP
;
Wang, J
;
Xiang, W
;
Hao, HY
;
Xu, YQ
;
Niu, ZC
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/03/20
High quality above 3-mu m mid-infrared InGaAsSb/AlGaInAsSb multiple-quantum well grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics b, 2014, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 017805
Xing, JL
;
Zhang, Y
;
Xu, YQ
;
Wang, GW
;
Wang, J
;
Xiang, W
;
Ni, HQ
;
Ren, ZW
;
He, ZH
;
Niu, ZC
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/05/11
Investigation of high hole mobility In0.41Ga0.59Sb/Al0.91Ga0.09Sb quantum well structures grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 5, 页码: 052111
Wang, J
;
Xing, JL
;
Xiang, W
;
Wang, GW
;
Xu, YQ
;
Ren, ZW
;
Niu, ZC
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2015/03/19
Complete fabrication study of InAs/GaSb superlattices for long-wavelength infrared detection
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2012, 卷号: 45, 期号: 26, 页码: 265103
Wang, GW
;
Xu, YQ
;
Wang, LJ
;
Ren, ZW
;
He, ZH
;
Xing, JL
;
Niu, ZC
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/02/07
Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers
期刊论文
thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230
Hao RT (Hao Ruiting)
;
Deng SK (Deng Shukang)
;
Shen LX (Shen Lanxian)
;
Yang PZ (Yang Peizhi)
;
Tu JL (Tu Jielei)
;
Liao H (Liao Hua)
;
Xu YQ (Xu Yingqiang)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/12/28
Gallium Arsenide
Gallium antimonide
Gallium antimonide/Aluminum antimonide
Superlattices
Molecular Beam Epitaxy
VAPOR-PHASE EPITAXY
SURFACE-MORPHOLOGY
GROWTH
SUPERLATTICES
TEMPERATURE
RELAXATION
DETECTORS
GAAS(001)
MOCVD
FILMS
Gain measurement and anomalous decrease of peak gain at long wavelength for InAs/GaAs quantum-dot lasers
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 10, 页码: 2984-2986
Xiao JL (Xiao Jin-Long)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
;
Du Y (Du Yun)
;
Zhao, H (Zhao Huan)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/03/29
LINEWIDTH ENHANCEMENT FACTOR
Quantum-confined stark effect of vertically stacked self-assembled quantum discs
期刊论文
Chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: 1336-1339
作者:
Liu, JL
;
Li, SS
;
Niu, ZC
;
Yang, FH
;
Feng, SL
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
Optical spectra and exciton state in vertically stacked self-assembled quantum discs
期刊论文
Chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 1120-1123
作者:
Liu, JL
;
Li, SS
;
Niu, ZC
;
Yang, FH
;
Feng, SL
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
A method to obtain ground state electroluminescence from 1.3 mu m emitting InAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics, 2003, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 97-99
Kong YC
;
Zhou DY
;
Lan Q
;
Liu JL
;
Miao ZH
;
Feng SL
;
Niu ZC
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
electroluminescence
state filling effect
OPTICAL-PROPERTIES
WAVELENGTH
EMISSION
LASER
GAAS
DEPENDENCE
LAYER
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