QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 MBE InAs quantum dots grown on metamorphic InGaAs for long wavelength emitting 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 194-198 Jiao YH (Jiao Y. H.); Wu J (Wu J.); Xu B (Xu B.); Jin P (Jin P.); Hu LJ (Hu L. J.); Liang LY (Liang L. Y.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/04/11 metamorphic  long wavelength  quantum dots  molecular beam epitaxy  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  1.3 MU-M  GAAS  EMISSION  RANGE  ISLANDS  ARRAYS  LASERS   Molecular beam epitaxy InAs dot arrays on InGaAs/GaAs 期刊论文 nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 23, 页码: 5846-5850 Jiao YH (Jiao Y. H.); Wu J (Wu J.); Xu B (Xu B.); Jin P (Jin P.); Hu LJ (Hu L. J.); Liang LY (Liang L. Y.); Ren YY (Ren Y. Y.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：107/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  QUANTUM-DOTS  SELF-ORGANIZATION  ISLANDS  NANOSTRUCTURES  SUPERLATTICES  GROWTH  SURFACE  GAAS(100)   Microdefects and electrical uniformity of inp annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances 期刊论文 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7 作者:  Dong, ZY;  Zhao, YW;  Zeng, YP;  Duan, ML;  Sun, WR 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Annealing  Defects  Etching  Semiconducting indium phosphide   Influence of semi-insulating inp substrates on inalas epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369 作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Zeng, YP;  Jiao, JH;  Li, JM 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Diffusion  Interfaces  Substrates  Molecular beam epitaxy  Phosphides  Semiconducting indium phosphide   Undoped semi-insulating indium phosphide (inp) and its applications 期刊论文 Chinese science bulletin, 2003, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: 313-314 作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Jiao, JH;  Zeng, YP;  Li, JM 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369 Dong HW; Zhao YW; Zeng YP; Jiao JH; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 diffusion  interfaces  substrates  molecular beam epitaxy  phosphides  semiconducting indium phosphide  UNDOPED SEMIINSULATING INP  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHOSPHIDE VAPOR  FE  INTERFACE  PHOTOLUMINESCENCE  WAFER  UNIFORMITY  DIFFUSION  PRESSURE   Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7 Dong ZY; Zhao YW; Zeng YP; Duan ML; Sun WR; Jiao JH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：354/16  |  提交时间：2010/08/12 annealing  defects  etching  semiconducting indium phosphide  FE-DOPED INP  SEMIINSULATING INP  INDIUM-PHOSPHIDE  DEFECTS  DIFFUSION  CRYSTALS  WAFERS   Undoped semi-insulating indium phosphide (InP) and its applications 期刊论文 chinese science bulletin, 2003, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: 313-314 Dong HW; Zhao YW; Jiao JH; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 SEMIINSULATING INP  WAFER  FE  PHOTOLUMINESCENCE  UNIFORMITY  VAPOR   Deep levels in semi-insulating inp obtained by annealing under iron phosphide ambiance 期刊论文 Journal of applied physics, 2002, 卷号: 92, 期号: 4, 页码: 1968-1970 作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Zhang, YH;  Jiao, JH;  Zhao, JQ 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence assessment of undoped semi-insulating inp wafers obtained by annealing in iron phosphide vapour 期刊论文 Semiconductor science and technology, 2002, 卷号: 17, 期号: 6, 页码: 570-574 作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Lu, HP;  Jiao, JH;  Zhao, JQ 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12