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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2012 [2]
2007 [1]
2003 [2]
2002 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
光电子学 [1]
半导体化学 [1]
半导体物理 [1]
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Optimization of the Field Enhancement and Spectral Bandwidth of Single and Coupled Bimetal Core-Shell Nanoparticles for Few-Cycle Laser Applications
期刊论文
plasmonics, 2012, 卷号: 7, 期号: 1, 页码: 99-106
Yang, YY
;
Csapo, E
;
Zhang, YL
;
Sussmann, F
;
Stebbings, SL
;
Duan, XM
;
Zhao, ZS
;
Dekany, I
;
Kling, MF
收藏
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浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2013/03/20
Femtosecond laser lithography technique for submicron T-gate fabrication on positive photoresist
期刊论文
optical engineering, 2012, 卷号: 51, 期号: 5, 页码: 54303
Du, YD
;
Han, WH
;
Yan, W
;
Xu, XN
;
Zhang, YB
;
Wang, XD
;
Yang, FH
;
Cao, HZ
;
Jin, F
;
Dong, XZ
;
Zhao, ZS
;
Duan, XM
;
Liu, Y
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/03/17
Mesoscopic Fano effect modulated by Rashba spin-orbit coupling and external magnetic field
期刊论文
physics letters a, 2007, 卷号: 365, 期号: 3, 页码: 248-252
Yuan RY
;
Wang RZ
;
Duan ZQ
;
Song XM
;
Wang B
;
Yan H
收藏
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浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2010/03/29
Fano effect
Selective area growth of gan on gaas(001) substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 9-13
作者:
Shen, XM
;
Feng, G
;
Zhang, BS
;
Duan, LH
;
Wang, YT
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Scanning electron microscopy
X-ray diffraction
Metalorganic vapor phase epitaxy
Selective area growth
Gallium nitride
Selective area growth of GaN on GaAs(001) substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 9-13
Shen XM
;
Feng G
;
Zhang BS
;
Duan LH
;
Wang YT
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/08/12
scanning electron microscopy
X-ray diffraction
Metalorganic vapor phase epitaxy
selective area growth
gallium nitride
CUBIC GAN
OVERGROWN GAN
DEPOSITION
GAAS(100)
Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260
作者:
Zhang SM
;
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:88/5
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提交时间:2010/08/12
wafer bonding
cubic
GaN/GaAs(001)
Si-substrate
LIGHT-EMITTING-DIODES
P-TYPE GAN
RESISTANCE
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