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具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者: 李成明

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一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国

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一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国

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利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国

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利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国

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低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
杨少延; 刘志凯; 柴春林; 陈诺夫; 王占国

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稀土功能薄膜的离子束外延法制备生长研究 期刊论文
中国稀土学报, 2005, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 576-581
作者: 杨少延; 陈涌海

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室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb 期刊论文
科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 24, 页码: 1863-1864
作者: 杨少延

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质量分离的双离子束沉积法生长CeO_2（111）/Si薄膜 期刊论文
稀有金属, 2001, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 401
作者: 杨少延

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CeO_2/Si薄膜PL谱的“紫移” 期刊论文
科学通报, 2001, 卷号: 46, 期号: 18, 页码: 1511
作者: 杨少延

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