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Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 121-125
Wang Xiaoliang; Hu Guoxin; Wang Junxi; Liu Xinyu; Liu Hongxin; Sun Dianzhao; Zeng Yiping; Qian He; Li Jinmin; Kong Meiying; Lin Lanying
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双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 824-830
作者:  王玉田;  于芳;  王俊;  王俊
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RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 602-605
胡国新; 王晓亮; 孙殿照; 王军喜; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
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Heteroepitaxial Growth and Heterojunction Characteristics of Voids-Free n-3C-SiC on p-Si(100) 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 567-573
Sun Guosheng; Sun Yanling; Wang Lei; Zhao Wanshun; Luo Muchang; Zhang Yongxing; Zeng Yiping; Li Jinmin; Lin Lanying
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双异质外延SOI材料Si/γ-Al_3O_3/Si的外延生长 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 12, 页码: 1289-1292
作者:  王俊;  王俊
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Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 135-138
孙国胜; 王雷; 罗木昌; 赵万顺; 朱世荣; 李晋闽; 曾一平; 林兰英
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新型硅基双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si制备 期刊论文
功能材料与器件学报, 2003, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 300-304
作者:  王俊;  王俊
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Si(100)衬底上n-3C-SiC／p-Si异质结构研究 期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 130-134
孙国胜; 孙艳玲; 王雷; 赵万顺; 罗木昌; 李建平; 曾一平; 林兰英
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23
MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 484-488
王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英; 刘新宇; 刘键; 钱鹤
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单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 43-48
作者:  王俊;  王俊
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