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半导体研究所 [140]
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GaSb-based type-I quantum well cascade diode lasers emitting at nearly 2-μm wavelength with digitally grown AlGaAsSb gradient layers*
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2021, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 94204
作者:
Zhang, Yi
;
Yang, Cheng-Ao
;
Shang, Jin-Ming
;
Chen, Yi-Hang
;
Wang, Tian-Fang
;
Zhang, Yu
;
Xu, Ying-Qiang
;
Liu, Bing
;
Niu, Zhi-Chuan
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2022/03/24
Molecular beam epitaxial growth of high quality InAs/GaAs quantum dots for 1.3-µm quantum dot lasers
期刊论文
Chin. Phys. B, 2019, 卷号: 28, 期号: 7, 页码: 078104
作者:
Hui-Ming Hao
;
Xiang-Bin Su
;
Jing Zhang
;
Hai-Qiao Ni
;
Zhi-Chuan Niu
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2020/08/04
Room-Temperature Operation of 2.4 mu m InGaAsSb/AlGaAsSb Quantum-Well Laser Diodes with Low-Threshold Current Density
期刊论文
chinese physics letters, 2014, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 054204
Xing, JL
;
Zhang, Y
;
Liao, YP
;
Wang, J
;
Xiang, W
;
Xu, YQ
;
Wang, GW
;
Ren, ZW
;
Niu, ZC
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2015/04/02
Optimization of InAs/GaAs quantum-dot structures and application to 1.3-mu m mode-locked laser diodes
期刊论文
chinese physics b, 2014, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 027803
Li, MF
;
Ni, HQ
;
Ding, Y
;
David, B
;
Kong, L
;
Ana, CM
;
Niu, ZC
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2015/05/11
Single-photon property characterization of 1.3 mu m emissions from InAs/GaAs quantum dots using silicon avalanche photodiodes
期刊论文
scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 3633
Zhou, PY
;
Dou, XM
;
Wu, XF
;
Ding, K
;
Li, MF
;
Ni, HQ
;
Niu, ZC
;
Jiang, DS
;
Sun, BQ
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2015/03/25
High quality above 3-mu m mid-infrared InGaAsSb/AlGaInAsSb multiple-quantum well grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics b, 2014, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 017805
Xing, JL
;
Zhang, Y
;
Xu, YQ
;
Wang, GW
;
Wang, J
;
Xiang, W
;
Ni, HQ
;
Ren, ZW
;
He, ZH
;
Niu, ZC
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/05/11
Gaas-based long-wavelength inas quantum dots on multi-step-graded ingaas metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 33, 页码: 5
作者:
He Ji-Fang
;
Wang Hai-Li
;
Shang Xiang-Jun
;
Li Mi-Feng
;
Zhu Yan
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
High-performance metamorphic ingaas resonant cavity enhanced photodetector grown on gaas substrate
期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 20, 页码: 3
作者:
Liu, S. Q.
;
Han, Q.
;
Zhu, B.
;
Yang, X. H.
;
Ni, H. Q.
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
GaAs-based long-wavelength InAs quantum dots on multi-step-graded InGaAs metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 33, 页码: 335102
He JF
;
Wang HL
;
Shang XJ
;
Li MF
;
Zhu Y
;
Wang LJ
;
Yu Y
;
Ni HQ
;
Xu YQ
;
Niu ZC
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2012/01/06
1.3 MU-M
STRAIN RELIEF
LASERS
SUBSTRATE
PHOTOLUMINESCENCE
DISLOCATIONS
OPERATION
RANGE
High-performance metamorphic InGaAs resonant cavity enhanced photodetector grown on GaAs substrate
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 20, 页码: article no.201104
作者:
Li MF
;
He JF
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浏览/下载:35/3
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提交时间:2011/07/05
I-N PHOTODIODES
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