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科研机构
半导体研究所 [25]
内容类型
专利 [23]
期刊论文 [2]
发表日期
2021 [1]
2015 [1]
2006 [1]
学科主题
微电子学 [3]
半导体物理 [1]
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专题:半导体研究所
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Construction of p-n heterojunctions by modifying MOF-derived alpha-Fe2O3 with partially covered cobalt tungstate for high-performance ethyl acetate detection
期刊论文
SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL, 2021, 卷号: 344, 页码: 130129
作者:
Fan, Yizhuo
;
Wang, Wei
;
Zhang, Jiafeng
;
Lu, Yang
;
Liu, Caixia
;
Adimi, Samira
;
Zhou, Jingran
;
Ruan, Shengping
;
Chen, Yu
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2022/03/23
Manipulation of magnetization switching and tunnel magnetoresistance via temperature and voltage control
期刊论文
scientific reports, 2015, 卷号: 5, 页码: 18269
Houfang Liu
;
Ran Wang
;
Peng Guo
;
Zhenchao Wen
;
Jiafeng Feng
;
Hongxiang Wei
;
Xiufeng Han
;
Yang Ji
;
Shufeng Zhang
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2016/04/08
一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
赵建华
;
邓加军
;
毕京峰
;
牛智川
;
杨富华
;
吴晓光
;
郑厚植
收藏
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浏览/下载:102/9
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提交时间:2009/06/11
一种纳米尺寸金属插塞电极阵列的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091398.3, 公开日期: 2011-08-31
王晓峰
;
张加勇
;
王晓东
;
季安
;
杨富华
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2011/08/31
通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
付英春
;
王晓峰
;
张加勇
;
白云霞
;
梁秀琴
;
马慧莉
;
季安
;
杨富华
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2014/10/29
一种平面相变存储器的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010531375.2, 公开日期: 2011-08-31
作者:
马慧莉
;
程凯芳
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2011/08/31
垂直相变存储器及制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010256828.5, 公开日期: 2011-08-31
作者:
程凯芳
;
马慧莉
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2011/08/31
与光刻分辨率无关的水平相变存储器的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
付英春
;
王晓峰
;
张加勇
;
季安
;
杨富华
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2014/10/31
纳流体晶体管的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237096.2, 公开日期: 2011-08-31
张加勇
;
王晓峰
;
王晓东
;
杨富华
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2011/08/31
垂直相变存储器的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113827.5, 公开日期: 2011-08-31
作者:
马慧莉
;
程凯芳
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2011/08/31
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