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专题:半导体研究所
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Growth of 4H-SiC epilayers with low surface roughness and morphological defects density on 4 degrees off-axis substrates
期刊论文
applied surface science, 2013, 卷号: 270, 页码: 301-306
Dong, Lin
;
Sun, Guosheng
;
Yu, Jun
;
Zheng, Liu
;
Liu, Xingfang
;
Zhang, Feng
;
Yan, Guoguo
;
Li, Xiguang
;
Wang, Zhanguo
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提交时间:2013/09/17
Analysis and modeling of localized faceting on 4H-SiC epilayer surfaces
期刊论文
physica status solidi (a), 2013, 卷号: 210, 期号: 11, 页码: 2503–2509
Lin Dong, Guosheng Sun, Liu Zheng, Xingfang Liu, Feng Zhang, Guoguo Yan, Lixin Tian, Xiguang Li, Zhanguo Wang
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2014/03/17
Growth of f4H-SiC epilayers with low surface roughness and morphological defects density on 4° off-axis substrates
期刊论文
applied surface science, 2013, 卷号: 270, 页码: 301-306
Dong, Lin
;
Sun, Guosheng
;
Yu, Jun
;
Zheng, Liu
;
Liu, Xingfang
;
Zhang, Feng
;
Yan, Guoguo
;
Li, Xiguang
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2014/03/17
Infrared reflectance study of 3C-SiC epilayers grown on silicon substrates
期刊论文
journal of physics d: applied physics, 2012, 卷号: 45, 期号: 24, 页码: 245102
Dong, Lin
;
Sun, Guosheng
;
Zheng, Liu
;
Liu, Xingfang
;
Zhang, Feng
;
Yan, Guoguo
;
Zhao, Wanshun
;
Wang, Lei
;
Li, Xiguang
;
Wang, Zhanguo
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提交时间:2013/04/22
棱镜全息干涉法制作二维光子晶体的研究
期刊论文
量子电子学报, 2012, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 215-223
刘国彬,孙晓红,李大海,臧克宽,许兴胜
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2013/06/03
电学测试的汞探针装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12, 2010-10-15
作者:
刘兴昉
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/08/12
碳化硅射频微电子机械系统滤波器的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999, 2010-10-15
作者:
刘兴昉
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浏览/下载:112/0
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提交时间:2010/03/19
图形衬底上生长碳化硅厚膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996, 2010-10-15
作者:
刘兴昉
收藏
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浏览/下载:138/0
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提交时间:2010/03/19
氧化硅上制备低阻碳化硅的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996, 2010-10-15
作者:
刘兴昉
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浏览/下载:97/0
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提交时间:2010/03/19
Epitaxial growth on 4H-SiC by TCS as a silicon precursor
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 21-25
作者:
Liu Xingfang
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/11/23
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