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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2010 [2]
学科主题
光电子学 [1]
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Impact of thickness of gan buffer layer on properties of aln/gan distributed bragg reflectors grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 2, 页码: 313-316
作者:
Wu ChaoMin
;
Shang JingZhi
;
Zhang BaoPing
;
Zhang JiangYong
;
Yu JinZhong
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Mocvd
Dbr
High-reflectivity
Nitride
Impact of thickness of GaN buffer layer on properties of AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 2, 页码: 313-316
Wu CM (Wu ChaoMin)
;
Shang JZ (Shang JingZhi)
;
Zhang BP (Zhang BaoPing)
;
Zhang JY (Zhang JiangYong)
;
Yu JZ (Yu JinZhong)
;
Wang QM (Wang QiMing)
收藏
  |  
浏览/下载:74/2
  |  
提交时间:2010/05/04
MOCVD
DBR
high-reflectivity
nitride
SURFACE-EMITTING LASER
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