QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Impact of thickness of gan buffer layer on properties of aln/gan distributed bragg reflectors grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 Science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 2, 页码: 313-316 作者:  Wu ChaoMin;  Shang JingZhi;  Zhang BaoPing;  Zhang JiangYong;  Yu JinZhong 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Mocvd  Dbr  High-reflectivity  Nitride   Impact of thickness of GaN buffer layer on properties of AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 2, 页码: 313-316 Wu CM (Wu ChaoMin); Shang JZ (Shang JingZhi); Zhang BP (Zhang BaoPing); Zhang JY (Zhang JiangYong); Yu JZ (Yu JinZhong); Wang QM (Wang QiMing) 收藏  |  浏览/下载：74/2  |  提交时间：2010/05/04 MOCVD  DBR  high-reflectivity  nitride  SURFACE-EMITTING LASER