中国开放科研知识云: 检索

验证码:

换一张

忘记密码？记住我

取消登录

CORC

首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务

在结果中检索

科研机构

西安理工大学 [15]

内容类型

期刊论文 [9]

会议论文 [6]

发表日期

知识图谱

CORC

已提交作品

待认领作品

已认领作品

未提交全文

浏览/检索结果: 共15条，第1-10条

帮助

限定条件	专题：西安理工大学第一署名单位第一作者单位通讯作者单位

已选(0)清除条数/页：排序方式：
	Field emission properties of Ge-doped GaN nanowires 期刊论文 2016, 卷号: 681, 页码: 324-329 作者: Li, Enling; Wu, Bei; Lv, Shitao; Cui, Zhen; Ma, Deming 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2019/12/20 Ge-doped GaN nanowire Density functional theory (DFT) Work function Field emission properties
	Synthesis and excellent field emission properties of three-dimensional branched GaN nanowire homostructures 期刊论文 2016, 卷号: 109 作者: Li, Enling; Sun, Lihe; Cui, Zhen; Ma, Deming; Shi, Wei 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2019/12/20
	Enhancing the field emission properties of Se-doped GaN nanowires 期刊论文 2016, 卷号: 27, 页码: 265707 作者: Li, Enling; Wu, Guishuang; Cui, Zhen; Ma, Deming; Shi, Wei 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2019/12/20 GaN nanowire Se-doped field emission work function
	The roles of the temperature on the structural and electronic properties of deep-level VAsVGa defects in gallium arsenide 期刊论文 2015, 卷号: 637, 页码: 16-19 作者: Ma, Deming; Chen, Xi; Qiao, Hongbo; Shi, Wei; Li, Enling 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2019/12/20 Gallium arsenide VAsVGa defects EL2 EL6 Deep-level defects First-principles
	Growth and field emission properties of GaN nanopencils 期刊论文 2015, 卷号: 41, 页码: 6074-6078 作者: Cui, Zhen; Li, Enling; Shi, Wei; Ma, Deming; Liu, Tong 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2019/12/20 Nanocomposite Electrical properties Nitrides Functional applications
	Density Functional Theory Study on Defect Feature of AsGaGaAs in Gallium Arsenide 期刊论文 2015, 卷号: 2015 作者: Ma, Deming; Chen, Xi; Qiao, Hongbo; Wang, Wei; Shi, Wei 收藏 \| 浏览/下载：1/0 \| 提交时间：2019/12/20
	First-principles study on stability and photoelectron spectroscopy of GanAs2(n=1-9) clusters 期刊论文 2014, 卷号: 118, 页码: 533-537 作者: Ma, Deming; Qiao, Hongbo; Shi, Wei; Li, Enling; Ma, Youheng 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2019/12/20 GanAs2 clusters Density functional theory Structure and stability Photoelectron spectroscopy
	Effect of the VAsVGa complex defect doping on properties of the semi-insulating GaAs 期刊论文 2014, 卷号: 115 作者: Ma, Deming; Qiao, Hongbo; Shi, Wei; Li, Enling 收藏 \| 浏览/下载：1/0 \| 提交时间：2019/12/20
	Optical and field emission properties of layer-structure GaN nanowires 期刊论文 2014, 卷号: 56, 页码: 80-85 作者: Cui, Zhen; Li, Enling; Shi, Wei; Ma, Deming 收藏 \| 浏览/下载：2/0 \| 提交时间：2019/12/20 Nanostructures Optical materials Crystal growth X-ray diffraction
	Investigation of GaAs photoconductive switches triggered by 900nm semiconductor lasers 会议论文 International Conference on Optical Instruments and Technology - Microelectronic and Optoelectronic Devices and Integration, Beijing, PEOPLES R CHINA, 2008-11-16 作者: Deming, Ma; Wei, Shi; Xiangrong, Ma; Xinmei, Wang; Tao, Pei 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2019/12/25 Photoconductive switches semi-insulating GaAs linear mode semiconductor laser pulse ultra-fast electrical pulse Franz-Keldysh effect

相关链接
欧盟学术资源开放存取平台
CALIS高校机构知识库
台湾学术机构典藏
香港机构知识库整合系统
中国科学院机构知识库网格系统

CORC
关于我们
服务条款
隐私条款

联系我们
0931-8270076
cspace@llas.ac.cn
China-OR

中文简体

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace